三星刚刚宣布了下一代5G mmWave芯片组。芯片组由射频集成电路(rics)和数字/模拟前端(DAFE)专用集成电路(asic)组成，支持28GHz和39GHz频段。
新的芯片组将于周二在巴塞罗那开幕的2019年世界移动通信大会上发布。
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芯片组的核心组件——RFICs和DAFE asic——与之前的版本相比，5G基站的尺寸、重量和功耗都降低了25%左右。这些新的芯片组将使5G基站的运行和推广效率更高，一份新闻稿说．
三星电子执行副总裁兼网络业务主管Paul Kyungwhoon chun表示:“我们在5G研发方面的突破是2018年在美国和韩国成功提供5G商业服务的关键驱动力，出货量超过3.6万个5G基站。”在迎接第四次产业革命的前沿，三星电子将继续加快5G商用化，通过低延迟、超高速度和大规模连接，最终影响产业和日常生活。”
三星的新RFICs使用了尖端的28nm CMOS半导体技术，其工作带宽已扩展到最大1.4GHz，而之前的RFICs的带宽为800MHz。RFIC的尺寸减小了36%，通过降低噪声水平和改善射频功率放大器的线性特性，整体性能得到了提高。
三星将于今年第二季度开始批量生产这款芯片，向韩国和美国发货。
该公司还宣布将开发面向美国和欧洲市场的24 GHz和47 GHz频段芯片组。
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三星电子执行副总裁兼网络业务研发主管jae - ho Jeon表示:“三星正在凭借其包括低功耗rfic和DAFE asic在内的创新解决方案，在5G的领导地位上进一步发展，开创数字转型的新时代。”“我们很高兴地宣布我们完成了这些新芯片组的开发，这将在推动技术进步到下一个水平方面发挥至关重要的作用。”
