芬兰Picosun集团因其敏捷ALD(原子层沉积)薄膜涂层技术而闻名于全球工业，报告了在锂离子薄膜电池材料制造中使用ALD的出色结果。
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ALD是Picosun领先的薄膜技术。ALD是100%保形，100%均匀，无针孔和可重复。Picosun提供最先进的ALD薄膜涂层技术，使工业飞跃未来。
固态锂离子薄膜电池(sslib)体积小、安全、储能能力强，是可穿戴医疗设备、笔记本电脑、智能手机和其他技术的理想电源。锂离子电池对我们的日常生活产生了如此大的影响，以至于它的开发者约翰·b·古迪纳夫博士、m·斯坦利·惠廷汉姆博士和吉野彰博士获得了今年的诺贝尔化学奖。
Picosun已经成功地利用其ALD技术为sslib制造了高质量、高性能的薄膜NiO阳极。与广泛用于生产锂离子电池阳极的石墨相比，沉积NiO薄膜的容量是石墨的两倍多，密度是石墨的三倍多。Picosun在报告中说，NiO的卓越特性可能会提高sslib的能量密度新闻稿．
Picosun集团首席技术官Jani Kivioja博士表示:“电池应用是ALD作为一种方法的灵活性的一个例子，以及新行业如何每天发现ALD的可能性。“长径比超过1:250的深沟槽已经成功地涂覆了配备Picoflow专利功能的ALD工具，这进一步提倡在3D固态锂离子电池制造中使用我们的技术。我们很高兴我们的ALD解决方案可以在未来的能源存储解决方案中与清洁能源生产结合使用，并为更紧凑的医疗保健设备提供动力，以提高人们的生活质量。”
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除了ALD NiO阳极的高质量和性能外，ALD在具有挑战性的微尺度架构(如高纵横比沟槽)内生产具有优异纯度和可重复性的保形和均匀涂层的无与伦比的能力，使其成为3D SSLIB材料制造的理想方法。此外，其他几种负极材料如SnO2、CoO和MnO的ALD工艺也是众所周知的，并得到了深入研究。
